[发明专利]电容器及其形成方法、DRAM存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 202010134587.0 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113363216B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 王文峰;吴双双 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L23/64;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种电容器及其形成方法，以及一种DRAM存储器及其形成方法，所述电容器的形成方法包括：提供衬底，所述衬底内形成有电接触部；在所述衬底表面形成交替层叠的支撑层和牺牲层，且最顶层为支撑层；形成贯穿所述支撑层和牺牲层，且暴露出所述电接触部的电容孔；形成覆盖所述电容孔内表面的下电极层，所述下电极层连接所述电接触部；形成覆盖所述下电极层表面的保护层；去除所述牺牲层，在去除所述牺牲层的过程中，所述下电极层受到所述保护层的保护；去除所述保护层；在所述下电极层的内外表面以及支撑层表面依次形成电容介质层和上电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 形成 方法 dram 存储器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
