[发明专利]一种GaN基础层及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010135212.6 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN111341887B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 张宇;杨天鹏;张穆萍;康建;杨东;周荣 | 申请（专利权）人： | 江西圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02;H01L33/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;臧建明 |
| 地址： | 337000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN基础层及其制备方法和应用。本发明提供了一种GaN基础层制备方法，在AlN膜上依次生长第一GaN层、第二GaN层、第三GaN层、第四GaN层、第五GaN层，并控制每个生长步骤中的温度、压力，得到最终GaN基础层。通过本发明提供的制备方法，减少了GaN基础层的位错密度，提高了GaN基础层的质量，进一步提高了LED器件的质量，同时，将GaN基础层运用到绿光LED中，由于GaN基础层质量较好，减少了与InN之间的晶格常数差异，进一步提高了绿光LED产品的质量，特别是大尺寸的绿光LED产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 基础 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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