[发明专利]一种碳包覆二维硅及其制备方法与应用

摘要

本发明涉及二维硅制备技术领域，尤其涉及一种碳包覆二维硅及其制备方法与应用。所述方法包括如下步骤：以ASi2型合金为前驱体，在二氧化碳和/或烃类气氛中对所述前驱体进行加热反应，完成后对得到的固体产物进行酸洗处理，得到碳包覆二维硅。本发明在进行碳包覆的同时将ASi2型合金中的A元素转化成了容易被除去的碳酸盐，通过后续的酸洗可以容易得去除这些碳酸盐，得到碳包覆的二维硅，即本发买那个实现了二维硅的制备和碳包覆过程的一体化，这种技术方案极大地简化了碳包覆二维硅的制备工艺，而且由于ASi2型合金已经商业化，且种类多，使得碳包覆硅的规模化、低成本制备成为可能。