[发明专利]一种套刻对准标记结构、套刻对准测量方法及半导体器件有效
| 申请号： | 202010135260.5 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN111312691B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 徐文超;吴振国;杨超;柳波;轩攀登 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 潘颖 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种套刻对准标记结构、套刻对准测量方法及半导体器件，基准参考标记和其相应的基准测量标记具有基准间距；对照参考标记和其相应的对照测量标记具有对照间距；基准间距和对照间距之间具有给定偏差。在套刻对准测量过程中，获取实际基准间距和实际对照间距；计算实际基准间距与实际对照间距之间的实际偏差；判断实际偏差和给定偏差之间差异是否在允许范围内，若是，则确定实际测量数据准确；若否，则对实际测量数据进行修正。通过比较实际偏差和给定偏差之间的差异，来验证套刻对准测量过程中获得的实际测量数据的准确性，且通过实际偏差和给定偏差之间的差异来对实际测量数据修正，进而保证测量过程中获取的测量数据的准确性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 标记 结构 测量方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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