[发明专利]铁电记忆体及其制造方法在审
| 申请号： | 202010136508.X | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113206107A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 林雨德;李亨元;叶伯淳;王志耀;杨昕芸 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L27/1159 | 分类号： | H01L27/1159;H01L27/11597 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铁电记忆体及其制造方法，铁电记忆体包括：一基板；一第一导电层，设置于该基板上；一图案化氧化层，设置于该第一导电层与该基板上，并露出部分的该第一导电层；一第二导电层，设置于露出的该第一导电层与该图案化氧化层上；一反铁电层，设置于露出的该第一导电层与该第二导电层上；一铁电层，设置于该第二导电层上，位于该反铁电层上；一导电氧化层，设置于该反铁电层之间；以及一第三导电层，设置于该导电氧化层上与该铁电层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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