[发明专利]半导体外延晶片及其制造方法、半导体元件在审
| 申请号： | 202010137416.3 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN111725295A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 清泽努;大冈笃志 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/04;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体外延晶片、半导体元件及半导体外延晶片的制造方法，抑制与半导体晶片的主面平行的面内的元件特性的偏差。半导体外延晶片具备半导体晶片、和配置在半导体晶片的主面上且包含第1导电型的杂质的第1导电型的半导体外延层，与半导体晶片的主面平行的面内的、半导体外延层的厚度分布和半导体外延层的杂质的浓度分布具有正相关。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 外延 晶片 及其 制造 方法 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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