[发明专利]导电互连线的制造方法在审
| 申请号： | 202010137664.8 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN111211095A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 张傲峰;李建财;陈世昌;王建智 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种导电互连线的制造方法，在具有导电插塞的第一层间介质层上形成第二层间介质层和图案化的光阻层之后，以所述图案化的光阻层为掩膜，刻蚀去除部分厚度的所述第二层间介质层来形成相应的第一沟槽；接着，去除所述图案化的光阻层，并形成填充所述第一沟槽的硬掩膜层，该硬掩膜层嵌入在第二层间介质层中并能够定义导电互连线之间的间隔区域；然后，以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二层间介质层以形成第二沟槽；最后，形成填充在所述第二沟槽中并与相应的所述导电插塞的顶部相接触的导电互连线。本方案能够有效通过硬掩膜层，精准且有效地控制形成的导电互连线之间的间隙宽度，避免了导电互连线条桥接的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 互连 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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