[发明专利]立体存储器元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010138566.6 | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113224077A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 赖二琨;龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种立体存储器元件，包含衬底、多个水平导电层、多个垂直存储器结构以及垂直导电板体。多个水平导电层位于衬底上，这些导电层二紧邻者之间形成第一空气间隙。存储器结构穿越这些导电层而连接至衬底。导电板体位于这些存储器结构其中二紧邻者之间，且穿越这些导电层而连接至衬底，导电板体与这些水平导电层紧邻者的边缘之间形成第二空气间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 立体 存储器 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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