[发明专利]具有行锤击应力缓解的DRAM阵列架构在审
| 申请号： | 202010138924.3 | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN111863063A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | C·J·卡瓦姆拉;C·L·英戈尔斯;T·H·金 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;G11C11/4074 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及具有行锤击应力缓解的DRAM阵列架构。一种设备包含多个主字线电路。每一主字线电路将相应全局字线驱动到有效状态值、中间电压状态或预充电状态中的一个。中间电压状态电压低于有效状态电压且高于预充电状态电压。存储器装置还包含多个子字线驱动器。每一子字线驱动器连接到对应全局字线且经配置以在对应全局字线电压与低电压值之间驱动相应局部字线。所述设备进一步包含多个相位驱动器。每一相位驱动器连接到预定数目的子字线驱动器，其中所述预定数目的子字线驱动器中的每一者连接到不同全局字线。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 行锤击 应力 缓解 dram 阵列 架构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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