[发明专利]一种用于硅晶片清洗后干燥、去污的装置及方法在审

专利信息
申请号: 202010139623.2 申请日: 2020-03-03
公开(公告)号: CN111192843A 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 张小飞;张纪尧 申请(专利权)人: 大连威凯特科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/02
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 徐华燊;李洪福
地址: 116000 辽宁省大连市甘井子区营城*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明提供一种用于硅晶片清洗后干燥、去污的装置及方法。本发明包括:箱体,箱体内部设有容纳待处理硅晶片的空间,箱体包括物料进出口,所述箱体外壁布置多个微波源,其用于挥发掉硅晶片表面的水和污染残留,所述箱体设有进风口和出风口,所述进风口外部连接有进风管道和/或所述出风口外连接有出风管道,进风管道和/或出风管道与风机相连,使得进风口与出风口之间形成用于干燥硅晶片的空气流道。本发明能够提高干燥效率,降低能耗,在干燥过程中,利用微波能,蒸发硅片表面的水分,同时分解清洗剂残留,达到干燥、去污的目的,提高产品合格率,用较少的设备即可配合清洗流程的节拍,减少设备资金投入,减少占地面积和维护成本。
搜索关键词: 一种 用于 晶片 清洗 干燥 去污 装置 方法
【主权项】:
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