[发明专利]具有OTP单元的MRAM存储器在审
| 申请号： | 202010141163.7 | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113362870A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 阿尼尔班·罗伊;尼哈·N·马哈特梅 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C17/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁阻随机存取存储器(MRAM)包括具有MRAM单元的MRAM阵列，每个MRAM单元包括磁性隧道结(MTJ)。该MRAM包括数据写入电路，该数据写入电路被配置成在一次可编程(OTP)写入模式下或在非OTP写入模式下写入。在该OTP写入模式下，该数据写入电路被配置成跨越第一多个MRAM单元中的选定MRAM单元提供高写入电压量值，以便永久性地熔断该选定MRAM单元的对应隧道介电层。在该非OTP写入模式下，该数据写入电路被配置成跨越选定MRAM单元提供较低写入电压量值，以便设置每个MRAM单元的对应自由层的磁化以调节每个MRAM单元的电阻，而不熔断每个MRAM单元的该对应隧道介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 otp 单元 mram 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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