[发明专利]光掩模的修正方法、光掩模的制造方法、光掩模以及显示装置的制造方法在审
申请号: | 202010141996.3 | 申请日: | 2020-03-04 |
公开(公告)号: | CN111665680A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 今敷修久 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孟伟青;褚瑶杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供光掩模的修正方法、光掩模的制造方法、光掩模和显示装置的制造方法,提供即使辅助图案产生缺陷也不发生显示装置等电子器件的制造成品率或生产效率降低的光掩模的修正方法。转印用图案通过曝光而在被转印体上形成具有期望CD值的孔图案,包含由透光部构成的主图案(11);配置在主图案(11)附近且具有利用曝光分辨不出的宽度且具有相移作用的辅助图案(12);和在主图案(11)和辅助图案(12)以外的区域形成的低透光部(13)。通过进行下述步骤修正光掩模:确定步骤,辅助图案(12)产生了缺陷时,通过增减主图案(11)CD值,确定在被转印体上具有期望CD值的修正转印用图案的形状;和修正步骤,基于确定步骤中得到的形状,实施增减主图案(11)的CD值来修正为主图案(111)的修正加工。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 修正 方法 制造 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备