[发明专利]一种单层原子沟道鳍式场效应晶体管的制备方法及产品有效
| 申请号： | 202010142634.6 | 申请日： | 2020-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN111312806B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 韩拯;陈茂林;孙东明;孙兴丹;王汉文;刘航;董宝娟;刘松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所;湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/24;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 110015 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有单原子层厚度沟道材料的鳍式场效应晶体管及其制备方法，所述鳍式场效应晶体管以高介电常数材料为介电层，以单层过渡金属硫族化合物为沟道材料。首先在基片上刻蚀出垂直台阶或垂直阵列结构，再在侧壁沉积均匀包覆介电层，然后在台阶处合成单层过渡金属硫族化合物，并采用各向异性刻蚀工艺获得垂直的单原子层厚度沟道材料，最后结合选择性湿法刻蚀和微纳加工工艺，获得单原子层厚度沟道材料的鳍式场效应晶体管。所得晶体管的鳍宽仅为0.6纳米；基于基片顶层的不同厚度，可以获得几百纳米高的鳍式场效应晶体管；通过制备台阶阵列，可以得到高密度的鳍阵列型鳍式场效应晶体管，用于构建高集成和低功耗的逻辑器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单层 原子 沟道 场效应 晶体管 制备 方法 产品 | ||
【主权项】：
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