[发明专利]沟槽梯度侧氧结构及其制备方法与半导体器件有效
| 申请号： | 202010143198.4 | 申请日： | 2020-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN111341662B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 左义忠 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人： | 王焕 |
| 地址： | 132013 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及沟槽梯度侧氧结构及其制备方法与半导体器件。所述沟槽梯度侧氧结构的制备方法包括：a)在硅片的表面形成掩膜层，所述掩膜层形成有沟槽定义区；b)对所述沟槽定义区进行刻蚀，形成沟槽，并去除所述掩膜层；c)在所述沟槽的表面形成至少一层包覆层，并对所述沟槽表面的包覆层进行表面磷处理；d)以填充材料对所述沟槽进行填充；e)对所述包覆层进行腐蚀，并获得所需的腐蚀效果；f)去除部分或全部的所述填充材料，获得沟槽梯度侧氧结构。该方法简单高效，能够在沟槽侧壁表面形成理想的斜坡阶梯场板，优化器件漂移区的电场分布，实现器件性能的显著提升和改进。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 梯度 结构 及其 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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