[发明专利]一种泡沫镍负载富硼、氧空位的四氧化三钴电极及其制备方法有效
申请号: | 202010143448.4 | 申请日: | 2020-03-04 |
公开(公告)号: | CN111270263B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 王孝广;原荷峰;王淑敏;魏世伟;唐宾 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
主分类号: | C25B11/054 | 分类号: | C25B11/054;C25B11/091;C25B11/03;C25B1/04 |
代理公司: | 太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119 | 代理人: | 杨凯;连慧敏 |
地址: | 030024 山西*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: |
本发明的三维泡沫镍负载富硼、氧空位的四氧化三钴自支撑材料用于全水解和水解NaBH |
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搜索关键词: | 一种 泡沫 负载 空位 氧化 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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