[发明专利]一种泡沫镍负载富硼、氧空位的四氧化三钴电极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010143448.4 申请日: 2020-03-04
公开(公告)号: CN111270263B 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 王孝广;原荷峰;王淑敏;魏世伟;唐宾 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: C25B11/054 分类号: C25B11/054;C25B11/091;C25B11/03;C25B1/04
代理公司: 太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119 代理人: 杨凯;连慧敏
地址: 030024 山西*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明的三维泡沫镍负载富硼、氧空位的四氧化三钴自支撑材料用于全水解和水解NaBH4制氢领域。该催化剂的制备方法:先用水热法在泡沫镍上合成氢氧化钴纳米线前驱体;然后置于管式炉中,在空气气氛中加热升温到400°C并保温2h,得到结晶化的四氧化三钴纳米线结构;最后将表面附着钴离子的四氧化三钴样品平铺于玻璃器皿上,用移液枪将NaBH4溶液和钴盐溶液分别依次滴涂在四氧化三钴表面上,从而获得自支撑富硼、氧空位的四氧化三钴催化电极材料。制备的三维泡沫镍负载富硼、氧空位的四氧化三钴电极在电解水时具有良好的析氢、析氧性能,同时在碱性NaBH4溶液中具有优异的催化水解制氢活性。
搜索关键词: 一种 泡沫 负载 空位 氧化 电极 及其 制备 方法
【主权项】:
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