[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置在审
| 申请号： | 202010143971.7 | 申请日： | 2020-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN111681956A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 菱沼隼;广瀬久 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。[课题]提供能良好地并行地形成长度不同的多个孔的技术。[解决方案]通过示例的实施方式的等离子体处理方法处理的被加工物具备硅氧化物的第1层和包含碳的第2层，重复执行的处理程序如下：生成第1气体的等离子体，以第2层为掩模，对被加工物进行蚀刻，然后，生成第2气体的等离子体，进行蚀刻。第1气体包含由碳原子和氟原子构成的气体，第2气体包含由碳原子、氟原子和氢原子构成的气体，生成第1气体的等离子体而进行的蚀刻中，由第1气体的等离子体生成高阶的氟化碳，生成第2气体的等离子体而进行的蚀刻中，由第2气体的等离子体生成低阶的氟化碳或低阶的氢氟烃。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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