[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202010144855.7 | 申请日: | 2020-03-04 |
公开(公告)号: | CN112054032A | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 白寅圭;金铉哲;崔津榕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369;H04N5/378 |
代理公司: | 北京汇知杰知识产权代理有限公司 11587 | 代理人: | 李洁;董江虹 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供一种图像传感器且所述图像传感器包括光电转换层、集成电路层及电荷存储层。光电转换层包括界定像素区的像素分隔结构,所述像素区中的每一像素区包括光电转换区。集成电路层从光电转换区读取电荷。电荷存储层包括用于所述多个像素区中的每一像素区的堆叠电容器。堆叠电容器包括:下部焊盘电极;中间焊盘电极;上部焊盘电极;接触塞,将上部焊盘电极连接到下部焊盘电极;下部电容器结构,连接在下部焊盘电极与中间焊盘电极之间;以及上部电容器结构,连接在中间焊盘电极与上部焊盘电极之间。上部电容器结构堆叠在下部电容器结构上以当在平面图中观察时与下部电容器结构局部地交叠。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010144855.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的