[发明专利]经由前侧沟槽的分段应力去耦在审
| 申请号： | 202010145013.3 | 申请日： | 2020-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN111792616A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | F·布兰德尔;R·格林贝格尔;W·朗海因里希 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 黄倩 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在此描述的实施例涉及经由前侧沟槽的分段应力去耦。提供了一种半导体器件及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括衬底，该衬底具有第一表面和第二表面，该第二表面与第一表面相对布置；应力敏感传感器，该应力敏感传感器被设置于衬底的第一表面处，其中该应力敏感传感器对机械应力敏感；第一对相邻应力去耦沟槽，该第一对相邻应力去耦沟槽从应力敏感传感器的第一横向侧被横向地布置，其中第一对相邻应力去耦沟槽中的每个应力去耦沟槽从第一表面朝第二表面部分地延伸至衬底中，但不完全延伸至第二表面；以及第一弹簧结构，该第一弹簧结构被形成在第一对相邻应力去耦沟槽之间，使得第一弹簧结构从应力敏感传感器被横向地布置，并且被配置为吸收来自环境的外部应力。 | ||
| 搜索关键词： | 经由 沟槽 分段 应力 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010145013.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
