[发明专利]一种AlGaN基二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010145389.4 | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN111341893B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张韵;倪茹雪;刘喆;张连;程哲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32;H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种AlGaN基二极管，包括：在衬底上依次外延生长的AlN层、有源层与P型层，其中，所述P型层的边缘区域经向下刻蚀直至AlN层内，形成第一台面，所述第一台面上外延生长有N型层。通过本公开提供的AlGaN基二极管，可以降低器件制备的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 algan 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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