[发明专利]筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值和预测其被曝光显影的风险的方法有效
| 申请号： | 202010145930.1 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111258186B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 邹先梅;于世瑞 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值和预测其被曝光显影的风险的方法，涉及半导体制造技术，首先在测试版图上筛选出特征尺寸逐渐增大的孤立图形，然后利用已建好的对应光刻工艺条件下的OPC光学模型模拟仿真计算得出光通过所筛选出的测试版图后各自的最大光强值Imax，随着CD的增大光强值Imax值也逐渐增加，然后在曝光、显影之后的硅片上检查这些光强值Imax值逐渐增大的版图在光刻胶上的显影情况，在光刻胶上将要显影所对应的光强值Imax值即为筛选出来的SRAF在光刻胶上显影的光强阈值，该方法能够在收集较少的数据情况下快速高效筛选出所有SRAF在该光刻工艺条件下在光刻胶上显影的光强阈值，减少工作量，提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 筛选 sraf 光刻 显影 阈值 预测 曝光 风险 方法 | ||
【主权项】：
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