[发明专利]功率器件模块封装用高导热氮化硅陶瓷基板与铜的连接方法在审
| 申请号： | 202010146105.3 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111341666A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 刘多;宋延宇;胡胜鹏;宋晓国;曹健;冯吉才 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学（威海） |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京怡丰知识产权代理有限公司 11293 | 代理人： | 于振强 |
| 地址： | 264209*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率器件模块封装用高导热氮化硅陶瓷基板与铜的连接方法，包括将高导热氮化硅陶瓷封装基板和铜置于酒精中清洗，然后采用砂纸对高导热氮化硅陶瓷封装基板和铜逐级打磨，最后采用抛光液对高导热氮化硅陶瓷封装基板和铜逐级抛光，在真空状态下，对待键合的高导热氮化硅陶瓷封装基板和铜表面进行离子轰击表面活化处理，在真空状态下将高导热氮化硅陶瓷封装基板与铜活化表面相互贴合，对连接结构施压和加热，从而实现高导热氮化硅陶瓷基板与铜的连接等步骤。其解决了现有高导热氮化硅陶瓷与铜的连接方法存在的连接界面处形成微米级厚度的反应层，阻碍热量的传递的技术问题。该方法可广泛应用于高导热氮化硅陶瓷基板与铜的连接。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 模块 封装 导热 氮化 陶瓷 连接 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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