[发明专利]低EMI噪声的绝缘栅双极型晶体管器件结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010146630.5 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111244170A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;杨卓;黄薛佺 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及功率半导体器件领域，具体涉及一种低EMI噪声的绝缘栅双极型晶体管器件结构及其制造方法。包括依次层叠设置的P型集电极、N型缓冲层和N型外延层；从N型外延层上表面向下形成第一P型体区，在第一P型体区上设有重掺杂的N型发射区；在位于第一P型体区内侧的N型外延层中设有栅极沟槽；位于相邻两个栅极沟槽之间的N型外延层中设有发射极沟槽；在栅极沟槽和发射极沟槽中设置第一氧化层并填充多晶硅，分别形成栅极结构和发射极结构；在发射极结构周围设置第二P型体区，第二P型体区与发射极结构耦合；栅极结构和N型外延层的上表面设有第二氧化层，第二氧化层上设有发射极金属。本发明能避免IGBT器件开启过程中给系统带来的EMI问题。 | ||
| 搜索关键词： | emi 噪声 绝缘 栅双极型 晶体管 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡新洁能股份有限公司，未经无锡新洁能股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010146630.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
