[发明专利]一种MOS结构沟槽二极管器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010146744.X | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111415997B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 陈晓伦;韩笑;朱涛;鞠柯;孟军;徐励远 | 申请（专利权）人： | 江阴新顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵青 |
| 地址： | 214431 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS结构沟槽二极管器件及其制造方法，包括从下至上依次设置的硅衬底、外延层，外延层上开设有依次排布原胞沟槽、原胞大沟槽、延展沟槽以及截止沟槽；原胞沟槽、原胞大沟槽、延展沟槽以及截止沟槽内侧壁依次设有二氧化硅外层以及多晶硅填充层；外延层上位于相邻的两个原胞沟槽之间的区域设有栅氧化层，栅氧化层的上方设有多晶硅层；原胞沟槽、原胞大沟槽、延展沟槽以及截止沟槽的顶部左右两侧设置有第一掺杂区以及第二掺杂区；原胞沟槽顶部的左右两侧以及原胞大沟槽靠近原胞沟槽侧设置有第三掺杂区，还包括左右设置的第一金属层以及第二金属层。本发明通过引入了沟槽MOS的分压及电场屏蔽效果，改进了器件性能，拓宽了适用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 结构 沟槽 二极管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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