[发明专利]一种铟化物掺杂的钙钛矿薄膜、制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202010146860.1 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111341916A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王照奎;廖良生;李小梅 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 尹红红 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于太阳能电池领域，公开了一种铟化物掺杂的钙钛矿薄膜、制备方法及其应用。所述的钙钛矿薄膜由钙钛矿前驱体溶液通过旋涂的方法制备而成，所述的钙钛矿前驱体溶液中添加有三碘化铟，进而减缓钙钛矿材料的结晶过程，从而获得晶粒更大、晶界更少的薄膜。本发明的制备方法简单，节约生产成本；同时，可以很好地改善钙钛矿薄膜的结晶情况，减少缺陷的产生，进而抑制载流子复合，有利于提高器件性能。另外，由于晶界的减少，外界水氧环境对于材料的分解减慢，能够有效促进薄膜与全无机钙钛矿太阳能电池器件稳定性的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铟化物 掺杂 钙钛矿 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学，未经苏州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010146860.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
