[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010146921.4 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113363321A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有源漏掺杂层；在部分所述源漏掺杂层表面形成沟道柱；在所述沟道柱侧壁表面和顶部表面形成初始栅极结构；在所述初始栅极结构侧表面形成第一保护层；在所述基底上形成介质结构，且所述介质结构覆盖所述第一保护层表面，且所述介质结构与所述第一保护层的材料不同；在所述介质结构内形成与所述源漏掺杂层电连接的第一导电插塞。所述方法形成的半导体结构的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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