[发明专利]一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备有效
| 申请号： | 202010147555.4 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111415902B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 周娜;李俊杰;高建峰;刘耀东;李永亮;罗军;赵超;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 何丽娜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备，涉及纳米结构制作技术领域，以有效地解决常规图案化工艺不适用于金属纳米结构制作的问题。金属纳米结构的制作方法包括，提供衬底；在衬底上形成图案化纳米结构；在图案化纳米结构背离衬底的表面形成金属纳米结构。所述金属纳米结构采用本发明提供的制作方法制成，本发明提供的金属纳米结构应用于电子器件和电子设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 纳米 结构 及其 制作方法 电子器件 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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