[发明专利]有源MOSFET电压钳位电路、钳位方法和双脉冲测试电路在审

专利信息
申请号: 202010147952.1 申请日: 2020-03-05
公开(公告)号: CN111257719A 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 陈敬;钟凯伦 申请(专利权)人: 香港科技大学深圳研究院
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R27/08;G01R1/20;G05F1/565;G05F1/567;G01R15/14;G01R15/16
代理公司: 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 代理人: 满群
地址: 518000 广东省深圳市南山区高新科技*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及有源MOSFET电压钳位电路、钳位方法和双脉冲测试电路。该电压钳位电路,包括被测器件漏极连接有源钳位管漏极,有源钳位管源极连接钳位端X结点,被测器件的源极连接钳位端的Y结点,X结点通过二极管D1与Y结点之间并联电容C1、电阻R1和齐纳二极管D2,有源钳位管的栅极与被测器件的源极和钳位端Y结点的公共端之间并联电容C2和串联的电阻Rg、电源(Vcc);有源钳位管的栅极施加固定栅极偏压(Vcc),被测器件处于关态时,钳位端结点X和钳位端结点Y之间的电压VXY被钳位Vcc‑VTH,MT附近,当被测器件处于开态时,电压VXY跟随导通电压VDSON
搜索关键词: 有源 mosfet 电压 电路 方法 脉冲 测试
【主权项】:
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