[发明专利]一种互连结构的形成方法有效
| 申请号： | 202010149002.2 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113363204B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 纪登峰;金懿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种互连结构的形成方法，包括：通过在第一沟槽的底部和部分侧壁表面、以及第二沟槽的底部和部分侧壁表面形成第一黏附阻挡层，以第一黏附阻挡层为掩模，对第一沟槽侧部和第二沟槽侧部的介质层进行刻蚀处理。在进行刻蚀处理时，通过横向刻蚀处理，就可以形成第二区域上的剩余的介质层的顶面高于第一区域上的剩余的介质层的顶面的结构。通过这样的结构，使后续的刻蚀过程中，第一导电填充层顶面和第二导电填充层顶面之间的高度差降低，可以有效地提高器件的稳定性和可靠性。而第一黏附阻挡层和第二黏附阻挡层，可以对介质层形成保护，避免保护层材料或沟槽填充材料层扩散进入介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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