[发明专利]P沟道的平面型VDMOS和平面型IGBT在审
| 申请号： | 202010149140.0 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113363324A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王学良 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P沟道的平面型VDMOS和平面型IGBT，其中，P沟道的平面型VDMOS包括n阱区，所述n阱区的沟道内埋有至少一个p岛，所述p岛为p型区，所述p型区采用p型半导体元素形成。本发明提供的P沟道的平面型VDMOS和平面型IGBT，通过在器件的n阱区的沟道内埋设p岛，能够有效调整器件的Vth的范围并且一致性更好。p岛的数量取决于具体的应用需求，相对而言，埋入的p岛的数量越多，器件的Vth值越高。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 平面 vdmos igbt | ||
【主权项】：
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