[发明专利]高性能磁阻传感器的制造在审
| 申请号： | 202010149203.2 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111725392A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 马克·艾斯勒 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨姗 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法包括在形成于衬底上的磁阻(MR)结构层上方沉积硬掩模层，所述硬掩模层由钨或基于钨的组合物形成。在所述硬掩模层上方沉积光刻胶层并且图案化所述光刻胶层以暴露所述硬掩模层的第一部分。执行第一蚀刻过程以去除所述硬掩模层的所述第一部分并暴露所述MR结构层的第二部分，并且执行干法蚀刻过程以去除所述MR结构层的所述第二部分并产生MR传感器结构。在所述干法蚀刻过程之后，剩下包括所述MR传感器结构和所述硬掩模层的硬掩模区段的复合结构，所述硬掩模区段覆盖所述MR传感器结构。另外可以形成围绕所述复合结构的由保护性介电材料层形成的间隔物。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 磁阻 传感器 制造 | ||
【主权项】：
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