[发明专利]一种半导体器件、制造方法及其应用在审
| 申请号： | 202010149409.5 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111816700A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 黎子兰 | 申请（专利权）人： | 广东致能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 崔振 |
| 地址： | 510700 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开内容提供一种半导体器件及其制作方法，所述器件包括一衬底，在所述衬底上的第一绝缘层，形成在所述衬底上的多个沟槽，所述沟槽的一侧壁上具有一成核层，以及通过所述成核层沿着所述沟槽形成的第一半导体层，以及籍由所述第一半导体层形成的所述半导体器件。本公开内容有助于实现如下效果之一：能实现较高的高宽比、更高的集成密度、降低导通电阻、提高阈值电压、实现常关状态、提供高功率、高可靠性、适合平面化工艺、制备方法简单、减低成本等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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