[发明专利]飞行时间传感器设备和飞行时间传感器布置在审
申请号: | 202010149430.5 | 申请日: | 2020-03-04 |
公开(公告)号: | CN111725246A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | H·菲克 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技德累斯顿公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郭星 |
地址: | 德国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及飞行时间传感器设备和飞行时间传感器布置。飞行时间传感器设备包括半导体衬底,其包括转换区域,以转换在光生电荷载流子中的电磁信号,并且半导体衬底包括衬底掺杂区域,衬底掺杂区域具有n掺杂类型,其中衬底掺杂区域从半导体衬底的第一主表面区域延伸到半导体衬底中,其中半导体衬底具有与衬底掺杂区域相邻的p掺杂区域,以及其中衬底掺杂区域至少部分地形成半导体衬底中的转换区域;读出节点,被布置在衬底掺杂区域内的半导体衬底中,并且读出节点具有n掺杂类型,其中读出节点配置为读出光生电荷载流子;以及控制电极,其被布置在半导体衬底的衬底掺杂区域中,并且控制电极被布置在衬底掺杂区域中并具有p掺杂类型。 | ||
搜索关键词: | 飞行 时间 传感器 设备 布置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技德累斯顿公司,未经英飞凌科技德累斯顿公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010149430.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高性能磁阻传感器的制造
- 下一篇:一种用于工业过程的模块工程化的系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的