[发明专利]等离子体处理装置在审
| 申请号： | 202010149908.4 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111696843A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 川上聪 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置，抑制将等离子体生成室与处理室分离的分离板的温度上升。等离子体处理装置包括气体供给部、第1电力供给部、分离板以及温度控制构件。气体供给部向等离子体生成室内供给气体。第1电力供给部通过向等离子体生成室内供给第1高频电力，从而使供给到等离子体生成室内的气体等离子体化。分离板为将等离子体生成室与等离子体生成室的下方的处理室分离的板状的分离板，该分离板具有用于将在等离子体生成室内生成的等离子体所含有的活性种向处理室引导的多个贯通口。温度控制构件在内部具有供进行了温度控制的流体流动的流路，通过与流体之间的热交换，从而控制分离板的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
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