[发明专利]一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器有效
| 申请号： | 202010150046.7 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111272827B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 刘黎明;惠裕充;迟锋;易子川;张智 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学中山学院 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 舒梦来 |
| 地址： | 528402 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，包括基底层，所述基底层的上方设置有半导体异质结，所述半导体异质结的上方设置有多个间隔排列的贵金属块,所述基底层与半导体异质结之间还设置有相互间隔的第一电极、第二电极；该贵金属增强型半导体异质结气体传感器，通过在半导体异质结上方设置贵金属块，通过光入射，在贵金属块表面引发表面等离激元共振，从而在贵金属块表面聚集强电场，通过强电场调节半导体异质结自由电子浓度，进而使得半导体异质结的电阻剧烈变化，通过检测电阻的变化，就可以实现气体分子的探测；与传统的气体传感器相比，该气体传感器具有结构简单、气体探测灵敏度高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 贵金属 增强 半导体 异质结 气体 传感器 | ||
【主权项】：
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