[发明专利]一种改进全泄漏抑制的短时DFT插值算法在审
| 申请号： | 202010150216.1 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111274534A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 李波;周年荣;曹敏;张林山;王浩;罗永睦;杨超;付志红;邹京希;朱全聪;利佳 | 申请（专利权）人： | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | G06F17/14 | 分类号： | G06F17/14;G06F17/11 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 650217 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种改进全泄漏抑制的短时DFT插值算法，在本申请中首先基于最大旁瓣衰减窗函数频谱的旁瓣一致衰减特性，在高精度近似基础上推导得到了其线性比例及递推特性。根据这种特性能够在谐波分量未知前提下，将其泄漏干扰进行有效参数化近似，且仅与被测频率谱线位置的级数线性相关，使其能够适用于后续多谱线插值校正的解析过程。再次利用最大旁瓣衰减窗函数频谱的线性比例特性，采用多谱线方程组解析得到与单频率信号插值校正类似的显示表达式，进而突破了单频解析信号模型这一先决条件对插值算法的限制。最后，分别对实部和虚部采用相同解析方式，得到对应解析解，进而采用数学平均方式进一步提高短时CiR下频谱校正精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 泄漏 抑制 dft 算法 | ||
【主权项】：
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