[发明专利]一种植入式神经电极、及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010150865.1 申请日: 2020-03-06
公开(公告)号: CN111348616A 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 王瀚晨;李霖泽;姜长青;胡春华;李路明 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C1/00;A61N1/05
代理公司: 北京华仁联合知识产权代理有限公司 11588 代理人: 陈建
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种植入式神经电极、及其制备方法,所述神经电极自下而上依次包括绝缘基底层、图案导电层、封装绝缘层,其中,所述图案导电层包括导线、位于所述导线一端的焊盘以及位于所述导线另一端的连接触点,所述封装绝缘层表面设置有电极触点,所述电极触点穿过所述封装绝缘层,与所述图案导电层位于导线端部的焊盘相连通,所述电极触点的位置依据电极设计要求而定,所述连接触点不被绝缘封装层包裹,裸露在外,用于与外部电子线路连接,并且,所述电极触点表现为亲水性,所述电极触点与水滴的接触角<90°。
搜索关键词: 一种 植入 神经 电极 及其 制备 方法
【主权项】:
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