[发明专利]一种砷化镉同质PN结薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202010151065.1 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111403294B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 修发贤;杨运坤;谢筱意 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/36 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 吴文滨 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种砷化镉同质PN结薄膜及其制备方法，制备方法包括以下步骤：1)采用分子束外延技术，在衬底上生长一层碲化镉缓冲层；2)采用分子束外延技术，在步骤1)中的碲化镉缓冲层上生长一层高浓度锌掺杂的砷化镉薄膜；3)采用分子束外延技术，在步骤2)中的高浓度锌掺杂的砷化镉薄膜上生长本征砷化镉薄膜，得到砷化镉同质PN结薄膜。与现有技术相比，本发明创新性地实现了狄拉克半金属材料的同质PN结原位外延生长，衬底处理工艺简单，对设备要求低，可以获得基于拓扑狄拉克材料的同质PN结。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镉 同质 pn 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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