[发明专利]接合系统和接合方法在审
| 申请号： | 202010151883.1 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111696858A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 三村勇之;前田浩史;西村理志 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种接合系统和接合方法，能够抑制在接合时在第1基板与第2基板之间产生空隙。一种接合系统，其具备：表面改性装置，其对第1基板的接合面和第2基板的接合面进行改性；表面亲水化装置，其对所述第1基板的进行所述改性后的所述接合面和所述第2基板的进行所述改性后的所述接合面进行亲水化；接合装置，其使所述第1基板的进行所述亲水化后的所述接合面与所述第2基板的进行所述亲水化后的所述接合面相对并接合；以及清洗装置，其在进行所述接合之前清洗所述第1基板和所述第2基板中的至少在接合时被平坦地保持的基板的与所述接合面相反的一侧的非接合面。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
