[发明专利]磁性存储器阵列及读写控制方法有效
| 申请号： | 202010152027.8 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111354392B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 余自强;余君;庄晓辉 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H10B61/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁性存储器阵列及读写控制方法，阵列包括多个磁性存储器单元，磁性存储器单元包括第一开关、第二开关、第一位单元及第二位单元，两位单元共用一自旋轨道转矩层，两位单元通过自旋轨道转矩层分别与相邻的两条位线连接，两位单元通过第一开关和第二开关与相邻的两条字线连接；读写控制单元，通过源线与至少一个磁性存储器单元连接，控制至少一个磁性存储器单元中的第一开关和第二开关的工作状态以读取或者设置位单元的状态。与传统的SOT‑MRAM器件结构相比，本发明可以减小约40％的存储单元面积，几乎可以达到2端器件STT‑MRAM的集成密度，解决了SOT‑MRAM单元面积大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储器 阵列 读写 控制 方法 | ||
【主权项】：
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