[发明专利]半导体存储器装置和其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010153271.6 申请日: 2020-03-06
公开(公告)号: CN112490249A 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 松田徹 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L27/11563 分类号: H01L27/11563;H01L27/1157;H01L27/11582;G11C5/02;G11C5/06
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文描述的实施例总体上涉及一种半导体存储器装置和其制造方法。第一区域包含存储器格晶体管。第二区域在第一方向上与所述第一区域相邻,并且包含在第二方向上对齐的第一子区域和第二子区域。第一构件包含沿所述第一方向延伸的部分,并且设置在所述第一子区域中。所述第一构件布置的方式使得在从所述第二子区域的一侧计数的第n行和第(n+1)行中在所述第二方向上对齐的所述第一构件在所述第一方向上移位。在所述第二方向上彼此相邻的所述第一构件布置的方式使得在所述第一方向上延伸的部分面对彼此。
搜索关键词: 半导体 存储器 装置 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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