[发明专利]半导体存储器装置和其制造方法在审
申请号: | 202010153271.6 | 申请日: | 2020-03-06 |
公开(公告)号: | CN112490249A | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | 松田徹 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11563 | 分类号: | H01L27/11563;H01L27/1157;H01L27/11582;G11C5/02;G11C5/06 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文描述的实施例总体上涉及一种半导体存储器装置和其制造方法。第一区域包含存储器格晶体管。第二区域在第一方向上与所述第一区域相邻,并且包含在第二方向上对齐的第一子区域和第二子区域。第一构件包含沿所述第一方向延伸的部分,并且设置在所述第一子区域中。所述第一构件布置的方式使得在从所述第二子区域的一侧计数的第n行和第(n+1)行中在所述第二方向上对齐的所述第一构件在所述第一方向上移位。在所述第二方向上彼此相邻的所述第一构件布置的方式使得在所述第一方向上延伸的部分面对彼此。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的