[发明专利]一种二维层状GeP材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010154342.4 | 申请日： | 2020-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN111320153B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 夏芳芳;翟天佑;张悦;王发坤 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C01B25/08 | 分类号： | C01B25/08;C30B9/00;C30B29/10;A61K31/704;A61K47/02;A61K47/60 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;孔娜 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于二维材料领域，并具体公开了一种二维层状GeP材料及其制备方法和应用，制备方法包括如下步骤：S1采用锗单质和红磷制备GeP单晶块体；S2对GeP单晶块体进行电化学剥离得到二维层状GeP材料，电化学剥离时采用0.3mol/L～0.8mol/L的四丁基氨离子液体作为电解液。本发明通过电化学剥离的方法制备出不同厚度的二维层状GeP纳米薄片，从而解决传统制备方法效率低、不易控制的问题，进一步提高制备二维材料制备的均匀性和可控性，制备出的二维材料在储能、生物载药、催化、非线性光学等方面有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 层状 gep 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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