[发明专利]一步法卷对卷制备钙钛矿薄膜连续制备的工艺及装置在审
申请号: | 202010154904.5 | 申请日: | 2020-03-06 |
公开(公告)号: | CN111341919A | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 郑永强;张宇;高辉;孙国平;欧阳俊波;韩长峰;冯宗宝;钱磊;张德龙 | 申请(专利权)人: | 江苏集萃分子工程研究院有限公司 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 黄珩 |
地址: | 215500 江苏省苏州市常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一步法卷对卷制备钙钛矿薄膜连续制备的工艺及装置,沿基材传输方向依次设置有放卷装置、涂布装置、干燥装置、萃取装置、退火装置和收卷装置,放卷装置包括有放卷轴以及若干沿基材传输方向设置的支撑辊,涂布装置包括有涂布背辊以及狭缝模头,狭缝模头朝向涂布背辊一侧供给涂布液;干燥装置包括有干燥箱体以及设置在干燥箱体内的加热装置;萃取装置包括有萃取槽和萃取槽内的导向辊组,萃取槽内装有与涂布液对应的反溶剂,退火装置包括有退火箱体以及设置在退火箱体内的加热装置,收卷装置包括有收卷轴,对钙钛矿层进行反溶剂萃取,可以极大促进晶体的形核及生长,从而获得结晶良好、排列致密以及表面平整的钙钛矿薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一步法 制备 钙钛矿 薄膜 连续 工艺 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏集萃分子工程研究院有限公司,未经江苏集萃分子工程研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010154904.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择