[发明专利]一种射频粒子源有效
| 申请号： | 202010155159.6 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN111385956B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 袁学松;朱昀泽;鄢扬;傅文杰;李海龙;王彬;蒙林 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01J27/18 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及粒子束产生与中和技术领域，具体提供一种射频粒子源，包括：射频信号源、阻抗匹配网络、射频线圈、射频放电腔以及栅网系统，其中，栅网系统包括内层栅网和外层栅网；通过内层栅网和外层栅网电压调节可以分别实现产生离子束、电子束、或者电子束与离子束同时产生并中和形成中性粒子束；同时，通过调节栅网距离和栅网电极电压控制抽取束流正负电荷电荷密度和粒子运动速度从而实现束流粒子密度，速度和电荷可调。另外，本发明无需传统离子源需要使用的外加阴极以及相应电极来中和粒子束，极大程度降低射频离子源设备的复杂性，避免了阴极高温及溅射对离子源寿命的影响，保证束流产生效果的稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 粒子 | ||
【主权项】：
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