[发明专利]基板处理方法及基板处理装置在审
| 申请号： | 202010155488.0 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN111725131A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 樋口鮎美;赤西勇哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本京都府京都市上京区堀川通寺之内上4*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供对表面具有金属层的基板进行处理的基板处理方法及基板处理装置。基板处理方法包括：氧化金属层形成工序，通过向基板的表面供给氧化流体而在金属层的表层形成包含1个原子层或多个原子层的氧化金属层；及氧化金属层去除工序，通过向基板的表面供给蚀刻液而将氧化金属层从基板的表面去除。交替地多次执行氧化金属层形成工序与氧化金属层去除工序。最终溶存氧浓度低于初始溶存氧浓度，最终溶存氧浓度为在多次执行的氧化金属层去除工序中的最后执行的最终氧化金属层去除工序中向基板的表面供给的蚀刻液中的溶存氧浓度，初始溶存氧浓度为在最终氧化金属层去除工序之前执行的初始氧化金属层去除工序中向基板供给的蚀刻液中的溶存氧浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
