[发明专利]一种单晶金刚石晶片的双面化学机械抛光方法在审
| 申请号： | 202010155949.4 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN111421391A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 张振宇;廖龙兴;谢文祥;刘杰 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B37/08;B24B37/24;B24B37/28;B24B37/34;C09G1/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 隋秀文;温福雪 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种单晶金刚石晶片的双面化学机械抛光方法，属于超精密加工技术领域。该方法包括粗抛和精抛两个阶段，其中粗抛采用聚氨酯抛光垫，精抛采用绒布抛光垫；粗抛和精抛时滴加不同配方的抛光液并设置不同的抛光参数，其中，粗、精抛时抛光液的主要成分包括碳化硼、氧化铈等磨粒，熊果酸、碘酒、煤油等化学试剂。本发明提供的双面抛光方法可实现单晶金刚石晶片材料的快速去除，并保证抛光表面的超低损伤及超光滑，研制的抛光液绿色环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 晶片 双面 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010155949.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种厂区阀门井类排水结构及系统
- 下一篇：一种空域使用冲突自动检测方法及系统
