[发明专利]一种气相二氧化硅的合成工艺有效
| 申请号： | 202010155956.4 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN111268685B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 邓咏兰;叶文胜 | 申请（专利权）人： | 邓咏兰 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 | 代理人： | 黄一敏 |
| 地址： | 350000 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明具体涉及一种气相二氧化硅的合成工艺，步骤如下：1)原料的制备：将含无机硅和/或无机硅化合物的废料制成膏状固态，加入冶金助剂捏合造粒，烘干成原料颗粒备用；2)纳米二氧化硅的制备：根据上述原料颗粒含硅成分的组成相应调整生产装置的能量输入和气氛条件，通过两段反应区，原料颗粒在高温空气等离子体下反应，形成气相二氧化硅，载气中形成的二氧化硅气溶胶离开反应区后快速急剧冷却，使气溶胶成核凝聚成纳米级二氧化硅；3)成核的纳米级二氧化硅随载气进入多级旋风分离器和金属网过滤器，分离分类成不同等级的产品；4)反应区中未带出的其他物质形成液态熔渣排出另行利用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 合成 工艺 | ||
【主权项】：
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