[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010156199.2 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN111696931A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 郭丰维;廖文翔;陈清晖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/48;H01L23/482;H01L23/488;H01L23/528;H01L23/66;H01L21/50;H01L21/56;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种器件包括：接地面，电连接至至少一个导电柱的近端；和天线焊盘，基本上平行于接地面，其中，天线焊盘通过具有第一介电常数的介电衬垫与至少一个导电柱的远端分隔开，其中，接地面、至少一个导电柱和介电衬垫围绕天线腔，天线腔填充有具有第二介电常数的介电填充材料，第二介电常数与第一介电常数不同。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010156199.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：气味减少的基于天然橡胶的胶粘剂
- 下一篇：用于模拟数字成像设备的方法
