[发明专利]基于Si锥/CuO异质结的自驱动光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010156794.6 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN111354804B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 陈士荣;李心贺;丁宇嵩;王博;赵妍;吴春艳 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/0352;H01L31/028;H01L31/032;H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于Si锥/CuO异质结的自驱动光电探测器及其制备方法，是在带有绝缘层的Si基底上刻蚀形成Si锥阵列，再通过磁控溅射在Si锥阵列的上方沉积CuO薄膜，构建Si锥/CuO垂直结构异质结，然后再转移石墨烯到CuO薄膜上方作为透明顶电极、在Si基底背面刷涂底电极，即完成光电探测器的制作。本发明以高纯铜靶为靶材，利用磁控直流反应溅射，一步实现薄膜的沉积和异质结器件的制备，探测器性能优越、制备过程简单易行，与现行Si基半导体工艺具有良好的兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 si cuo 异质结 驱动 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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