[发明专利]晶体硅太阳电池中的氮化硅的刻蚀方法及应用

摘要

本申请公开了一种晶体硅太阳电池中的氮化硅的刻蚀方法及应用。本申请的晶体硅太阳电池中的氮化硅的刻蚀方法，包括采用亚碲酸银刻蚀晶体硅太阳电池的氮化硅。本申请的刻蚀方法，采用亚碲酸银对氮化硅进行刻蚀，烧结温度低，可以完全替换现有的刻蚀剂PbO，实现无铅化低温烧结；并且，亚碲酸银刻蚀产生的单质银能够在硅发射极上原位二维生长成纳米银，与发射极的硅形成良好的欧姆接触，有利于降低银‑硅接触电阻，提高太阳电池效率。