[发明专利]离子束直写二维半导体器件的方法有效
| 申请号： | 202010157534.0 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN111341837B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 谭杨;刘燕然;陈峰 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/06;H01L29/861;H01L21/265 |
| 代理公司： | 南京中高专利代理有限公司 32333 | 代理人： | 潘甦昊 |
| 地址： | 250100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种离子束直写二维半导体器件的方法，步骤一、将表面清洗后的硅片作为衬底；步骤二、在硅片表面制作一对相间隔的金电极；步骤三、在金电极上方设置一单层石墨烯，单层石墨烯覆盖整个硅片表面区域；步骤四、在单层石墨烯上方设置一单层过渡金属双卤代金属TMDCs；步骤五、通过低能量离子束对部分单层TMDCs表面进行轰击，使轰击区域的单层TMDCs表面产生缺陷，有缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进行空位掺杂，使得对应置处的单层石墨烯呈现P态，无缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进行电子掺杂，使得对应位置处的单层石墨烯呈现N态，最终形成PN结。提出了一种利用离子辐照技术直接在TMDCs/石墨烯异质结构上绘制任意二极管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束 二维 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010157534.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
